SK hynix и Sandisk представили первые спецификации High Bandwidth Flash — нового класса памяти для инфраструктуры искусственного интеллекта. HBF должна занять промежуточное место между быстрой, но дорогой HBM и более вместительными SSD.
Спецификация предусматривает ёмкость до 512 ГБ и пропускную способность от 0,4 до 3 ТБ/с. Для соединения с центральными и графическими процессорами используется открытый интерфейс UCIe.
Компании опубликовали стандарт в рамках Open Compute Project. Это должно позволить использовать HBF с процессорами разных производителей, а не привязывать технологию к одной закрытой платформе.
Зачем ИИ ещё один вид памяти
Современным ИИ-системам приходится постоянно перемещать огромные объёмы данных между процессором, оперативной памятью и накопителями.
HBM обеспечивает высокую скорость, но остаётся дорогой и ограниченной по объёму. SSD вмещают значительно больше данных, однако уступают по пропускной способности и задержкам.
HBF должна заполнить этот разрыв: предложить больше ёмкости, чем HBM, и при этом находиться ближе к процессору, чем обычный накопитель. Это особенно важно для запуска крупных моделей, веса которых не всегда помещаются в доступный объём высокоскоростной памяти.
Первая спецификация включает стеки из восьми или 16 кристаллов NAND и три класса производительности. В консорциуме уже участвуют Google и Tenstorrent.
Стандарт подготовили за полгода
Работа над HBF началась после соглашения SK hynix и Sandisk о совместной стандартизации в августе 2025 года. Консорциум запустили в феврале 2026-го, а первые характеристики представили примерно через шесть месяцев.
Документ описывает не только скорость и ёмкость, но также электрические параметры, надёжность, упаковку многослойных кристаллов и программный ввод-вывод.
Пока речь идёт о стандарте, а не о массовом продукте. Производителям ещё предстоит выпустить совместимые модули, процессоры и системы.
SK hynix показала 375-слойную NAND
На выставке FMS 2026 компания также впервые представила 375-слойную память 4D NAND десятого поколения. SK hynix заявляет, что её производительность на ватт выросла в 2,5 раза по сравнению с предыдущим поколением. Новую память планируют использовать в корпоративных SSD для дата-центров, а массовое производство накопителей должно начаться в начале 2027 года.
HBF и новая NAND показывают, куда движется рынок: производителям ИИ уже недостаточно просто наращивать вычислительную мощность. Им приходится заново проектировать всю систему хранения данных вокруг ускорителей.
Пока HBM остаётся самым быстрым уровнем памяти, а SSD — самым вместительным. SK hynix и Sandisk предлагают поставить между ними ещё один этаж.
Читайте также:
- AstraZeneca обсуждала слияние с Bristol Myers на $400 млрд
- Doosan купила контроль над SK Siltron за $1,6 млрд ради бума ИИ
- Alibaba выпустила Qwen3.8-Max на 2,4 трлн параметров
- 60 тысяч человек прорвались в Сеуту: почему граница Испании с Марокко исчезла за сутки
- GPS превратили в космический радар: спутники ESA начали искать воду под лесами
- «Сделано в Германии»: репортёр Bild попробовал белую колбасу с мучными червями
- LG открыла K-EXAONE 2.0: ИИ-гигант получил 750 млрд параметров
- Машин оказалось мало: Lexus запускает собственный вертолётный сервис
- Акции SpaceX впервые рухнули к $107: рынок нащупывает дно для SPCX
- Астрономы проектируют WST — 12-метровую «фабрику спектров»
- Китайская CXMT вышла на биржу и за день стала самой дорогой на биржах Китая
- Биологические часы зависят не от одного сбитого дня, а от привычного режима